Zobrazeno 1 - 10
of 172
pro vyhledávání: '"R. Ritzenthaler"'
Autor:
E. Bury, M. Vandemaele, J. Franco, A. Chasin, S. Tyaginov, A. Vandooren, R. Ritzenthaler, H. Mertens, J. Diaz Fortuny, N. Horiguchi, D. Linten, B. Kaczer
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::190e0b9c0d444b8fede4084cc9f358e7
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118269
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118269
Autor:
H. Mertens, R. Ritzenthaler, Y. Oniki, P. Puttarame Gowda, G. Mannaert, F. Sebaai, A. Hikavyy, E. Rosseel, E. Dupuy, A. Peter, K. Vandersmissen, D. Radisic, B. Briggs, D. Batuk, J. Geypen, G. Martinez-Alanis, F. Seidel, O. Richard, B.T. Chan, J. Mitard, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7559774f6d1287531641ef258b9aefd7
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019497
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019497
Autor:
E. Capogreco, H. Arimura, R. Ritzenthaler, S. Brus, Y. Oniki, E. Dupuy, F. Sebaai, D. Radisic, B. T. Chan, D. Zhou, V. Machkaoutsan, S. Yoon, H. Itokawa, M. Yamaguchi, Z. Gao, P. Fazan, Y. Chen, S. Subramanian, L.-A. Ragnarsson, A. Spessot, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70b439eb41f6c56c3b078869aab68f08
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019422
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019422
Autor:
R. Ritzenthaler, E. Capogreco, E. Dupuy, H. Arimura, J. P. Bastos, P. Favia, F. Sebaai, D. Radisic, V. T. H. Nguyen, G. Mannaert, B. T. Chan, V. Machkaoutsan, Y. Yoon, H. Itokawa, M. Yamaguchi, Y. Chen, P. Fazan, S. Subramanian, A. Spessot, E. Dentoni Litta, S. Samavedam, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::265fac1943247b994b3366b6a0581a58
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830186
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830186
Autor:
J. P. Bastos, B. J. O'Sullivan, J. Franco, S. Tyaginov, B. Truijen, A. Chasin, R. Degraeve, B. Kaczer, R. Ritzenthaler, E. Capogreco, E. D. Litta, A. Spessot, Y. Higashi, Y. Yoon, V. Machkaoutsan, P. Fazan, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6bf43da4a2a1b60a40b0267e7e989c9f
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764547
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764547
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f6ba0de97f45fc8fb2e3b8dc21ce60a
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-1-01
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-1-01
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.