Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"R. Previti-Kelly"'
Autor:
Ping-Chuan Wang, J. D. Gillis, R. Previti-Kelly, J. Dunn, Hanyi Ding, Peter J. Lindgren, Mete Erturk, Mark Doherty, Ramana M. Malladi, Mike McPartlin, Alvin J. Joseph, Ephrem G. Gebreselasie
Publikováno v:
IBM Journal of Research and Development. 52:635-648
We feature a 0.35-µm SiGe BiCMOS technology (SiGe 5PAe) that is optimized for power amplifier (PA) applications. The key feature of this technology is a novel low-inductance ground to the package using through-silicon vias (TSVs) that results in a c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::713fb84e40cb59a235193a0b6abd0838
https://doi.org/10.1147/jrd.2008.5388563
https://doi.org/10.1147/jrd.2008.5388563
Autor:
R. Previti-Kelly, J. Forsyth, Panglijen Candra, Alvin J. Joseph, H. Lafontaine, Mike McPartlin, M. Doherty
Publikováno v:
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
This paper describes the optimization of Silicon Germanium (SiGe) NPN bipolar transistors for power amplifier performance. Minimizing the collector resistance and barrier effects in a power device are important to optimize the RF characteristics. Ove
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::273bac7bf4dc47e96c402364600d7767
https://doi.org/10.1109/bipol.2009.5314249
https://doi.org/10.1109/bipol.2009.5314249
Autor:
J. Dunn, Qizhi Liu, Ramana M. Malladi, Peter B. Gray, Ping-Chuan Wang, Kenneth J. Stein, Douglas B. Hershberger, R. Previti-Kelly, Panglijen Candra, Ephrem G. Gebreselasie, Benjamin T. Voegeli, K. Watson, Wade J. Hodge, Peter J. Lindgren, Zhong-Xiang He, Alvin J. Joseph
Publikováno v:
2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
In this paper we introduce, a state-of-the-art SiGe BiCMOS power amplifier technology that features two NPNs with 40 GHz / 6.0 V & 27 GHz / 8.5 V (fT - BVceo) respectively, a novel low inductance metal ground through-silicon-via (TSV), integrated on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69f768941b9f07f9c4bc96f3507b0e97
https://doi.org/10.1109/bipol.2007.4351868
https://doi.org/10.1109/bipol.2007.4351868
Autor:
Peter B. Gray, J. Dunn, Alvin J. Joseph, BethAnn Rainey, R. Previti-Kelly, Natalie B. Feilchenfeld, Benjamin T. Voegeli, S. St Onge, Mattias E. Dahlstrom
Publikováno v:
2007 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems.
An isolated vertical PNP BJT with fT of 28 GHz and f MAX of 26 GHz available as a modular component in a 0.24 μm SiGe BiCMOS technology is described. This paper presents, to the authors' knowledge, the highest fT ever published for a homojunction PN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab2835ce9931b1f6d982c6b34887fd87
https://doi.org/10.1109/smic.2007.322774
https://doi.org/10.1109/smic.2007.322774
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 21th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA); 2014, p327-331, 5p