Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"R. Nebashi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Banno, K. Okamoto, H. Numata, N. Iguchi, M. Miyamura, R. Nebashi, X. Bai, H. Hada, T. Sugibayashi, T. Sakamoto, M. Tada
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
X. Bai, M. Miyamura, Y. Tsuji, R. Nebashi, A. Morioka, N. Banno, K. Okamoto, H. Numata, H. Hada, T. Sugibayashi, T. Sakamoto, M. Tada
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Shimura, N. Ohshima, S. Miura, R. Nebashi, T. Suzuki, H. Hada, S. Tahara, H. Aikawa, T. Ueda, T. Kajiyama, H. Yoda
Publikováno v:
IEEE Transactions on Magnetics. 42:2736-2738
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 83:2318-2320
We present silicon isotope superlattices: Si structures in which alternating layers are predominantly composed of the stable isotopes 28Si and 30Si. Using solid-source molecular beam epitaxy, the thickness of each isotope layer has been precisely con
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.