Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"R. Moazzami"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physiology. 108:1336-1346
We have demonstrated that stimulation of somatic afferents during electroacupuncture (EA) inhibits sympathoexcitatory cardiovascular rostral ventrolateral medulla (rVLM) neurons and reflex responses. Furthermore, EA at P5-P6 acupoints over the median
Publikováno v:
Brain Research. 1053:97-107
Our previous studies have demonstrated that stimulation of cardiac sympathetic afferents activates neurons in the parabrachial nucleus (PBN), a region known to play a role in central integration of cardiovascular autonomic reflexes. However, phenotyp
Autor:
Ali R. Moazzami, Zhi-Ling Guo
Publikováno v:
Brain Research. 1006:36-48
The hypothalamus is considered to be an important area in the central regulation of cardiovascular function. However, its role in processing excitatory cardiovascular reflexes induced by stimulation of cardiac afferents has not been established. In t
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Peter Zurcher, J. Z. Witowski, S.J. Gillespie, Robert E. Jones, Y. T. Lii, Papu D. Maniar, R. Moazzami, P.Y. Chu
Publikováno v:
Thin Solid Films. 270:584-588
Non-volatile ferroelectric random access memories (FERAM) offer substantial advantages over conventional floating-gate electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) and flash EEPROM devices. FERAMS can be written at high speeds (≈100
Autor:
Robert E. Jones, J. R. Williams, R. Moazzami, A. C. Campbell, M. Kottke, Papu D. Maniar, Rich Gregory, J. L. Dupuie, M. L. Bozack, J. M. Ferrero
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics. 6:81-92
Investigations of materials interactions that complicate the integration of PZT ferroelectric capacitors into CMOS technologies are discussed. These include interactions within the Pt/Ti electrodes structure, the reactions of sol-gel deposited PZT du