Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"R. Minixhofer"'
Autor:
K. Tselios, T. Knobloch, J. Michl, D. Waldhoer, C. Schleich, E. Ioannidis, H. Enichlmair, R. Minixhofer, T. Grasser, M. Waltl
Publikováno v:
2022 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW).
Autor:
K. Tselios, T. Knobloch, D. Waldhoer, B. Stampfer, E. Ioannidis, H. Enichlmair, R. Minixhofer, T. Grasser, M. Waltl
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. :1-1
Autor:
J. Michl, A. Grill, B. Stampfer, D. Waldhoer, C. Schleich, T. Knobloch, E. Ioannidis, H. Enichlmair, R. Minixhofer, B. Kaczer, B. Parvais, B. Govoreanu, I. Radu, T. Grasser, M. Waltl
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Publikováno v:
2018 20th International Conference on Electronic Materials and Packaging (EMAP).
Four diffuser materials with different base polymers and fillers have been investigated for the purpose of direct integration into sensor packages. Therefore, the most important properties, namely transmission and scattering as well as behavior under
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007 ISBN: 9783211728604
This paper describes the hot-carrier (HC) behaviour of a high-voltage 0.35 µm n-channel lateral DMOS transistor (LDMOSFET). Self-heating effects during HC stress have to be taken into account for the HC stress analysis. Peak Idlin and Idsat degradat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1697f3b56a481dd9586571bd9fe4742d
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_89
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_89