Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"R. Langfeld"'
Publikováno v:
Applied Physics A Solids and Surfaces. 33:251-254
In (100)p-Si radiation damage was produced by implanting B+ ions with an energy of 80keV, 90keV and 1.6MeV. The specimens were annealed by scanned electronbeam irradiation (20keV, 1–2mAcm−2). The formation, evolution and annihilation of defects d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6a102018b3fbb700fa9b4cf5ee6d2002
https://doi.org/10.1007/bf00614667
https://doi.org/10.1007/bf00614667
Autor:
R. Langfeld
Publikováno v:
Applied Physics A Solids and Surfaces. 44:107-110
We propose a new algorithm to obtain the energy and the capture cross section of a deep trap in the band gap of a semiconductor from deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements. This numerical method requires only a single temperature cycle
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d7fe0934f183aa7e2084bfa85b4ce5be
https://doi.org/10.1007/bf00626409
https://doi.org/10.1007/bf00626409
Publikováno v:
physica status solidi (a). 88:533-538
Polycrystalline silicon layers deposited without doping and afterwards implanted with arsenic or phosphorus show a strong increase of the sheet resistivity due to reactions between dopants and residual radiation damage during scanned electron beam an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c4cae80f82183a2beed4ff8c9a5a631a
https://doi.org/10.1002/pssa.2210880217
https://doi.org/10.1002/pssa.2210880217
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 41:C4-47
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96eaa32d1fef23d23e6b1dded7f3d564
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980408
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980408
Publikováno v:
International Journal of Electronics. 66:213-225
Detailed analysis of electron beam annealed Ge-WSi-Au and Ge-Ni-WSi-Au ohmic contacts is reported. Lower contact resistance values with better reproducibility and much lower standard deviation are achieved with Ni doped TLM devices. Ar+ ion X-ray pho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::957630b331390ef48ebdeb75cb4181ab
https://doi.org/10.1080/00207218908925378
https://doi.org/10.1080/00207218908925378
Publikováno v:
Physics Letters A. 82:148-150
As 2+ -ions have been implanted in n-Si single crystals with a {111} surface using ion energies of 3 MeV. We have investigated experimentally and theoretically laser induced annealing and diffusion of the buried profiles.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9ab6fea858b889c638cdcbfc5ce6f41
https://doi.org/10.1016/0375-9601(81)90936-1
https://doi.org/10.1016/0375-9601(81)90936-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.