Zobrazeno 1 - 10
of 88
pro vyhledávání: '"R. Kuroiwa"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M Kishida, R Kuroiwa, H Nakazono, T Koshibu, I Suzuki, J Nakazato, H Dokai, M Shimoda, N Shinomiya
Publikováno v:
Nihon Shoni Arerugi Gakkaishi. The Japanese Journal of Pediatric Allergy and Clinical Immunollogy. 21:102-108
Publikováno v:
physica status solidi (b). 216:461-464
GaN-rich GaNP ternary alloy layers are grown by gas source molecular beam epitaxy. Beyond an average P composition of 0.015, phase separation is observed. For the phase-separated samples, quantum-dot-like photoluminescence (PL) properties are observe
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :371-375
Autor:
H. Tampo, R Kuroiwa, Shigefusa F. Chichibu, Shun-ichi Gonda, Hajime Asahi, Akihiro Ishida, K. Iwata, Kumiko Asami
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :218-222
Polycrystalline GaN layers are grown on amorphous fused silica glass substrates by gas-source MBE using ion removed electron cyclotron resonance (ECR) radical cell. Polycrystalline GaN grown here shows a strong photoluminescence without deep-level em