Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"R. Kobaidze"'
Autor:
N. Kekelidze, B. Kvirkvelia, E. Khutsishvili, T. Qamushadze, D. Kekelidze, R. Kobaidze, Z. Chubinishvili, N. Qobulashvili, G. Kekelidze
On the basis of InAs, InP and their InPxAs1-x solid solutions, the technologies were developed and materials were created where the electron concentration and optical and thermoelectric properties do not change under the irradiation with Ф = 2∙101
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c7fe10bd14764d22265d4d3c6006c5e5
Publikováno v:
European Chemical Bulletin. 8:307
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3df26aac460bddf39e703db32a175043
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.307-312
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.307-312
Publikováno v:
European Chemical Bulletin. 8:19
Novel semiconductor-base nanotechnology is gradually moving into new applications in the world economy. Semiconductor application requires increasing of investigations in the direction of their properties. The main criterion of semiconductor suitabil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ce7df049c1c2a3e784c2a5d6dcd5834
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.19-22
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.19-22
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.