Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"R. Kavari"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 8:309-313
To define metal lines for composite metal structures for integrated circuits with small pitches ( 0.1 /spl mu/m/line, respectively, without leaving metallic residue and without undercutting the masking layer. These goals have been achieved for a laye
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5bc491025f236f54aefa6d531096396d
https://doi.org/10.1109/66.401006
https://doi.org/10.1109/66.401006
Autor:
Shawming Ma, L.M. MacInnes, N. Hendricks, C.A. Treadwell, Nigel P. Hacker, J. Dunne, Lisa Figge, G.W. Ray, J.C. Sum, R. Kavari
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.99EX247).
Process integration of a /spl kappa/=2.5 spin-on dielectric polymer into double-level metal CMOS parametric test structures at two technology nodes (0.35 /spl mu/m and 0.18 /spl mu/m) is described. This was accomplished using a single-coat, DOM (dire
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5978ed6df4d2e732f2fad8bd6df00aa
https://doi.org/10.1109/iitc.1999.787116
https://doi.org/10.1109/iitc.1999.787116
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.00EX407).
The HotOzone/sup TM/ process, a new ozone-water cleaning process for post-contact/via oxide etch or post-metal etch resist or residue removal, is evaluated. Test structures, using 0.35 /spl mu/m technology with I-line resist or 0.18 /spl mu/m technol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66b5ab82239981bcae6126786df2dc09
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854277
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854277
Autor:
R. Kavari, Wayne Greene, Gary W Ray, Robert E. Gleason, Chiu Chi, Hua-Yu Liu, Carlos H. Díaz, Min Cao, Peng Cheng, Brian S. Doyle
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
We have developed a process that uses a series of depositions and etches to pattern poly-silicon gates, eliminating the component of line width variation that normally arises from photolithography. Because the depositions and etches that determine li
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4d43586746bef6ef47ea0d0b331eac6b
https://doi.org/10.1117/12.309593
https://doi.org/10.1117/12.309593
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.