Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"R. Jemielniak"'
Publikováno v:
Journal of Materials Science. 39:5511-5515
A stoichiometric nickel aluminide intermetallic alloy produced by self-sustained high-temperature synthesis (SHS) induced to the green compacts of the mixture of elemental Ni and Al powders by mechanical heavy deformation during low-temperature hydro
Autor:
Stanislaw Krukowski, M. Kryśko, R. Jemielniak, Michal Bockowski, Przemysław Witczak, Z. Witczak
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 30:035008
Measurements of linear elastic and piezoelectric constants of gallium nitride by bulk acoustic waves are reported. All material properties, including static dielectric constants by capacitance method and density by x-ray method, were determined, usin
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
The universal (liquid or gas as pressure medium) apparatus for mechanical testing of materials under constant hydrostatic pressure (up to 1.5 GPa) is presented. Main characteristics—load range: 0–20 kN; cross‐head displacement range : 0–30 mm
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 46:C10-159
Les mesures de l'attenuation dependant des dislocations dans Cu et Al au-dessous de 50 K sont cachees par l'attenuation due aux interactions electron-phonon. On presente des mesures sur Al et Cu monocristallins pour lesquelles l'interaction electron-
Autor:
R. Jemielniak, J. Królikowski
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 46:C10-163
Mesure de l'attenuation des ondes ultrasonores longitudinales dans Cu monocristallin de haute purete en champ magnetique a la temperature de l'helium liquide. On etudie l'influence du champ magnetique sur l'amortissement par dislocation
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 46:C10-395
Etude entre 100 et 800 K pour une frequence de 15 KHz environ. Pour les echantillons soumis a une deformation plastique, on observe des changements atypiques de Q −1 (+)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Mar2015, Vol. 30 Issue 3, p1-1, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.