Zobrazeno 1 - 10
of 171
pro vyhledávání: '"R. Jambunathan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Jambunathan, Jasprit Singh
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 33:1180-1189
In conventional edge-emitting lasers, mirror reflectivity is /spl sim/0.3-0.4 so that very short cavities have an unacceptable loss. To decrease the mirror losses, one can conceive of an external distributed Bragg reflector (DBR) structure produced b
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 33:408-415
The performance characteristics of a coupled cavity InGaAsP-InP MQW laser/active waveguide made by one-step epitaxy and well-controlled reactive ion etching (RIE) have been theoretically analyzed and experimentally determined. A theoretical model bas
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 17:1378-1380
Uncooled operation of long-reach high performance C-band 10 Gb/s of optical modulator modules is presented. Modules consisting of a distributed feedback laser and a chip with a monolithically integrated electroabsorption modulator and semiconductor o
Autor:
R. Jambunathan, J. Singh
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 80:6875-6879
In laser structures where the active region consists of several quantum wells, non‐uniform charge injection can occur. We examine the consequences of non‐uniform charge injection on gain, threshold current, and linewidth enhancement factor. Non