Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"R. Ifuku"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Transactions. 53:71-79
We discuss recent experimental observations of metal/graphene contacts in terms of intrinsic interfaces obtained with resist-free process by comparing with those made by the conventional lithographic fabrication steps.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4f9355fda250b277ffce770cb070cb3f
https://doi.org/10.1149/05301.0071ecst
https://doi.org/10.1149/05301.0071ecst
Autor:
M. Takahashi, Akihiro Kajita, Y. Yamazaki, Hisao Miyazaki, Kazuyoshi Ueno, Masayuki Katagiri, R. Matsumoto, Daisuke Nishide, T. Matsumoto, T. Sakai, Naoshi Sakuma, R. Ifuku
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::85fa34600ee645dcdbb00a0108309af7
https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.e-1-5
https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.e-1-5
Publikováno v:
2012 International Electron Devices Meeting.
This paper presents our recent understanding of metal/graphene contact in terms of intrinsic interface obtained from the comparison between resist-free and conventional EB processes, and discusses future challenges to reduce the contact resistivity.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5edf16181da4b41487f21652688e8fa2
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6478975
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6478975
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9ebd0f88946ae32c444c9323509cac1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2012.ps-13-16l
https://doi.org/10.7567/ssdm.2012.ps-13-16l
Publikováno v:
2011 International Electron Devices Meeting.
This paper focuses both electrical transport and Raman characteristics of graphene underneath the metal. We have found that there is only a weak interaction between metal and graphene, while graphene is significantly affected by the substrate underne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c6e193d260aa24c80491ece7e7a3209
https://doi.org/10.1109/iedm.2011.6131475
https://doi.org/10.1109/iedm.2011.6131475
Autor:
Koji Kita, Akira Toriumi, T. Nishimura, Lee Choonghyun, R. Ifuku, Toshiyuki Tabata, Kosuke Nagashio, Dan Dan Zhao
Publikováno v:
IEEE 2011 International SOI Conference.
We have investigated carrier transport properties in ultra-thin body (UTB) Ge-on-Insulator (GeOI) MOSFETs for the first time. Both n- and p-channel MOSFET operation fabricated on 9 nm GeOI has been demonstrated. In addition, a significant difference
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b04f9048884ef2ae33f2ab392ebc968a
https://doi.org/10.1109/soi.2011.6081794
https://doi.org/10.1109/soi.2011.6081794
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::23d9331f135c1b66e9b34f886e20f3b6
https://doi.org/10.7567/ssdm.2011.k-8-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2011.k-8-2