Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"R. Hodo"'
Autor:
H. Baba, S. Ohshita, T. Hamada, Y. Ando, R. Hodo, T. Ono, T. Hirose, Y. Kurokawa, T. Murakawa, H. Kunitake, T. Nakura, M. Kobayashi, H. Yoshida, M.-C. Chen, M.-H. Liao, S.-Z. Chang, S. Yamazaki
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::57972320b1a90e7b1978fb30f4add90d
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9721312
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9721312
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Hodo, K. Sugaya, S. Yamazaki, H. Kimura, Y. Asami, M. Motoyoshi, D. Shimada, N. Kamata, M. Takahashi, T. Murakawa
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4b80faa06299de85c39f464ab0e09cc5
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-10-01
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-10-01
Autor:
E. Takahashi, R. Hodo, S. Ito, K. Fukushima, K. Tochibayashi, S. Sasagawa, Y. Komatsu, R. Arasawa, S. Yamazaki
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::862932bb7a5d52ca2afb3928ec33493d
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-10-02
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-10-02
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. Fujiki, Yutaka Okazaki, R. Hodo, Daisuke Matsubayashi, S. Yamazaki, Shinpei Matsuda, Masashi Tsubuku, K. Tochibayashi, Ryunosuke Honda, Y. Kobayashi, T. Hiramatsu, H. Tomisu, Y. Yamamoto
Publikováno v:
2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology).
We report the world's smallest field effect transistors (FETs) with channel lengths of 32 nm including c-axis aligned crystalline (CAAC) In-Ga-Zn-O as their active layers, which achieve low off-state leakage currents. Furthermore, these FETs exhibit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::731fb371719749846523aa8c4a8641b4
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223680
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223680
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B R Hodo, J U Bassey
Publikováno v:
Sophia: An African Journal of Philosophy; Vol 8, No 2 (2006); 137-144
Community Banks in developed countries are viable vehicles in transmitting Monetary Policies in the economy through their credit activities to the economy. Empirical evidence from this research has not supported this proposition among Community Banks
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2cbc3ab14579e3cb1efec81ecdf75ea4
https://doi.org/10.4314/sophia.v8i2.38744
https://doi.org/10.4314/sophia.v8i2.38744
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.