Zobrazeno 1 - 10
of 317
pro vyhledávání: '"R. Goldhahn"'
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 11, Iss 7, Pp 075013-075013-6 (2021)
Selective area growth of cubic gallium nitride is investigated in a plasma assisted molecular beam epitaxy setup. 380 μm thick silicon (001) and 10 μm thick 3C-silicon carbide (001), grown on 500 μm silicon (001), were used as substrates and struc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ce02ae0dfb784e26a512c5596874f70f
Autor:
T. Henksmeier, J. F. Schulz, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, A. M. Sanchez, M. Voigt, G. Grundmeier, D. Reuter
Dataset of the publication "Remote epitaxy of In(x)Ga(1-x)As (001) on graphene covered GaAs(001) substrates" DOI:10.1016/j.jcrysgro.2022.126756
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::fa522f8f26094f054cbba9dbd3e254a6
https://zenodo.org/record/7323060
https://zenodo.org/record/7323060
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Henksmeier, J.F. Schulz, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, A.M. Sanchez, M. Voigt, G. Grundmeier, D. Reuter
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 593:126756
The heteroepitaxial growth of lattice mismatched layers is crucial for modern semiconductor device fabrication, but it is a significant challenge in epitaxy. Growth of lattice mismatched materials creates strain in the epitaxial layer, which is usual
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a414fed8f934395651dd6eab925cd323
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126756
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126756
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Carrier-induced refractive index change observed by a whispering gallery mode shift in GaN microrods
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 17, Iss 8, p 083047 (2015)
Vertical oriented GaN microrods were grown by metal-organic vapor phase epitaxy with four different n-type carrier concentration sections above 10 ^19 cm ^−3 along the c -axis. In cathodoluminescence investigations carried out on each section of th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ce8f647fb3684490b77668a45bf16c82
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 35:095001
The lattice vibrations and optical properties of α-Ga2O3 are investigated by polarized Raman scattering and spectroscopic ellipsometry measurements at room temperature. Three types of epitaxial α-Ga2O3 film samples were grown on c-plane sapphire su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5387b21522624ed317f27cf2c3708e89
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab97f5
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab97f5