Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"R. Geilenkeuser"'
Autor:
S. Steiner, F. Kuechenmeister, T. Villiger, J. Prinz, C. Papadopoulos, H. Kabus, J. Urban, C. Morabito, J. Kwon, A. Rodriguez, J. Krinke, J. Dienelt, R. Geilenkeuser, D. Breuer, M. Cammarata
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 114:113899
In this publication, the influence of bond wire material properties (Au 2N/4N), and plasma pre-treatment on the wire-bond strength is investigated based on Automotive Electronics Council Qualification (AEC-Q100) and customer requirements. The wire pu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::35217afc53aa53652fc261674793b393
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.113899
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.113899
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :535-538
The specific heat cp of amorphous polycarbonate and amorphous polystyrene has been measured at pressures up to p = 0.7 GPa in the temperature range 0.2K
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31966fe09c9c260bb979c8528fd123a1
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00564-1
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00564-1
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :276-279
Both thermal conductivity λ and specific heat cp of amorphous polystyrene were measured in the temperature range 1.7 K K at three different pressure values up to p=0.4 GPa . The thermal conductivity data show that the influence of pressure is most p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c269f194f538d152f0ed74df8a490ba
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)01356-8
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)01356-8
Publikováno v:
2009 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report.
This work shows how fast wafer-level reliability (fWLR) inline tests allow to quickly screen the intrinsic reliability of High-k / Metal Gate (HK/MG) process splits in an effective manner. Various Hf based gate stack compositions such as pure HfO 2 ,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ddb4ae29450a19754775ca0d9ff4d98c
https://doi.org/10.1109/irws.2009.5383032
https://doi.org/10.1109/irws.2009.5383032
Publikováno v:
IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2004.
Here, we investigate the impact of polysilicon predoping and physical gate-dielectric thickness scaling on the interaction of CET, J/sub G/, and TDDB reliability for both NMOS- and PMOS-devices for physical thicknesses between 1.28 nm and 1.58 nm. Fu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e503f55e1f8ad13ec3d780f32330b3fb
https://doi.org/10.1109/irws.2004.1422729
https://doi.org/10.1109/irws.2004.1422729
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :1137-1138
We have measured the dielectric response e(ω) and the thermal conductivity κ of polystyrene (PS) and of polycarbonate (PC) under high hydrostatic pressure (0.1 MPa MPa ) and at low temperatures ( 50 mK K ). The investigations show a pressure influe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8b730d818ae6fad6518d7e46df1b2646
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)02536-3
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)02536-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.