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Autor:
R. Fehse
Publikováno v:
Trauma und Berufskrankheit. 16:142-145
Eine schnelle Leistungserbringung ist in den Verfahren nach Versicherungsfallen von besonderer Bedeutung. Dies beginnt mit der Ersthilfe am Unfallort und setzt sich in der Steuerung durch den Durchgangsarzt, das Rehabilitationsmanagement der Unfallve
Autor:
R. Fehse
Publikováno v:
Trauma und Berufskrankheit. 14:81-84
Frakturheilungsstorungen in Form von Pseudarthrosen und Infekten sind seltene, aber ernst zu nehmende Komplikationen im berufsgenossenschaftlichen Heilverfahren, denn sie haben in nahezu allen Fallen Einfluss auf die Dauer und den Aufwand der Rehabil
Autor:
R. Fehse
Publikováno v:
Trauma und Berufskrankheit. 12:38-41
Die Unfallversicherungstrager haben uber BK-Meldungen zu entscheiden, auch wenn diese intensiv wissenschaftlich diskutiert werden, wie die BK 2112 Gonarthrose. Von Seiten der DGUV (Deutsche Gesetzliche Unfallversicherung) wurde neben der Initiierung
Autor:
R. Fehse
Publikováno v:
Trauma und Berufskrankheit. 9:S145-S148
Autor:
Andreas Amann, R. Fehse, Eoin P. O'Reilly, Brian Kelly, Simon Osborne, Kevin Buckley, S. O'Brien, J. Patchell, D.R. Jones, James O'Gorman
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 13:1157-1163
We describe a method of tailoring the laser spectrum of Fabry-Perot (FP) laser diodes using a spatially varying refractive index. The cavity geometry is determined by a perturbative transmission matrix calculation of the threshold gain of the longitu
Publikováno v:
IEE Proceedings - Optoelectronics. 151:447-451
Relatively small changes in growth parameters, such as the active layer growth temperature, have been shown to have dramatic effects on the threshold current density Jth for GaInNAs-based lasers. The authors consider the influence of the growth tempe
Autor:
Henning Riechert, Stephen J. Sweeney, Eoin P. O'Reilly, G. Knowles, R. Fehse, Stanko Tomić, G. Steinle, Alf R. Adams, Terry E. Sale
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 9:1202-1208
We have investigated the temperature and pressure dependence of the threshold current (I/sub th/) of 1.3 /spl mu/m emitting GaInNAs vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and the equivalent edge-emitting laser (EEL) devices employing the sa
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 47:501-506
By measuring the spontaneous emission (SE) from metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown ∼1.3 μm GaInNAs/GaAs-based lasers during normal operation, we have quantitatively determined the variation of each of the current paths present in the
Autor:
G. Knowles, Stanko Tomić, Terry E. Sale, S. R. Jin, Stephen J. Sweeney, Alf R. Adams, R. Fehse
Publikováno v:
physica status solidi (b). 235:480-485
Vertical-cavity surface-emitting lasers with a GaInNAs quantum well active region have been studied as a function of hydrostatic pressure and compared with similar edge-emitting lasers. The variation of threshold currents and lasing energies is studi
Autor:
S. Nau, Peter J. Klar, G. Ebbinghaus, R. Fehse, H. Grüning, Alfred R. Adams, J. Koch, Wolfgang Stolz, Wolfram Heimbrodt, Gerhard Weiser, A. Ramakrishnan
Publikováno v:
physica status solidi (b). 235:417-422
We have investigated the optical properties of edge-emitting laser structures containing three Ga 0.7 In 0.3 N 0.005 As 0.995 quantum wells embedded in GaN x As 1-x barriers grown by metal-organic vapour-phase epitaxy. In a series of three samples th