Zobrazeno 1 - 10
of 166
pro vyhledávání: '"R. Dussart"'
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-10 (2021)
Abstract Cryogenic Atomic Layer Etching (cryo-ALE) of SiO2 based on alternating a C4F8 molecule physisorption step and an argon plasma step, has been enhanced thanks to a better understanding of the mechanism. First, we used Quadrupole Mass spectrome
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0a7f4f228c87483582d3a8e6f0585dd8
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-1 (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ba4145238f7e4139841b9675123f3738
Autor:
M. Kulsreshath, A. Vital, P. Lefaucheux, C. Sinturel, T. Tillocher, M. Vayer, M. Boufnichel, R. Dussart
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 1, Iss , Pp 42-48 (2018)
Cryogenic plasma deep-etching for silicon sub-micron structures was studied with the use of modified poly(styrene) (PS) perforated masks obtained from laterally phase separated PS and poly (lactic acid) PLA blend thin films. PS mask was stained by he
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e82f07428e0f4011912d982d22f23f86
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 133:113306
Cryogenic etching of a-Si, SiO2, and Si3N4 materials by CHF3/Ar inductively coupled plasma is investigated in a range of temperature from −140 to +20 °C. Samples of the three different materials are placed together on the same silicon carrier wafe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5622ce90e372800581493a6bf2dddaef
https://doi.org/10.1063/5.0142056
https://doi.org/10.1063/5.0142056
Autor:
G. Antoun, T. Tillocher, A. Girard, P. Lefaucheux, J. Faguet, H. Kim, D. Zhang, M. Wang, K. Maekawa, C. Cardinaud, R. Dussart
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A. 40:052601
This article first presents quasi- in situ XPS measurements on Si3N4 and a-Si samples after exposure to an SiF4/O2 plasma at different cryogenic temperatures. A different behavior is observed between the two materials at −65 °C, which has led to t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6acd6e8b0f307c44c8a2f64cb1a16a4
https://doi.org/10.1116/6.0001885
https://doi.org/10.1116/6.0001885
Autor:
G. Antoun, A. Girard, T. Tillocher, P. Lefaucheux, J. Faguet, K. Maekawa, C. Cardinaud, R. Dussart
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 11:013013
A silicon oxyfluoride layer was deposited on a-Si samples using SiF4/O2 plasma at different temperatures between −100°C and −40 °C. In situ X-ray photoelectron spectroscopy measurements were then performed to characterize the deposited layer. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd9028668c4f3758e0decebc049badd5
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac4c7d
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac4c7d
