Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"R. Druihle"'
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 144:694-697
The heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si in a horizontal, atmospheric pressure metallorganic vapor-phase epitaxy reactor is reported using germane GeH{sub 4} (0.1% in H{sub 2}). A particularly crucial parameter for germanium deposition on silicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20b3cb3b4c05cce3e7a639b7eebd5f1e
https://doi.org/10.1149/1.1837470
https://doi.org/10.1149/1.1837470
Publikováno v:
ChemInform. 28
The heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si in a horizontal, atmospheric pressure metallorganic vapor-phase epitaxy reactor is reported using germane GeH{sub 4} (0.1% in H{sub 2}). A particularly crucial parameter for germanium deposition on silicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78d1e678934b3e709725e767eb88daa6
https://doi.org/10.1002/chin.199722252
https://doi.org/10.1002/chin.199722252
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.