Zobrazeno 1 - 10
of 87
pro vyhledávání: '"R. Darwich"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ali Izadpanah, C. Besner Morin, Alain M. Danino, Julien J. Shine, Josée Arsenault, R. Darwich, Patrick G. Harris, Johnny Ionut Efanov
Publikováno v:
Hand surgeryrehabilitation. 37(2)
Patient-Reported Outcome Measures (PROMs) are important clinical devices for evaluating injuries and surgeries of the hand. However, some of the most widely used questionnaires, such as the MHQ and bMHQ, are currently unavailable in French, which pre
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 125:131-134
Thick lms of zinc oxide (ZnO) nanopowders have been prepared by high energy ball-milling for various spans of mill time (3 18 h). The morphology and crystal structure of the prepared ZnO powder were characterized by scanning electron microscope and X
Autor:
R. Darwich
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 381:35-39
Capacitance transient measurements have been performed on undoped hydrogenated amorphous silicon samples. The transient decays measured at wide range of temperatures and pulse durations cannot be fitted by power-law (as in the case of n-type) or by a
Autor:
R. Darwich, P. Roca i Cabarrocas
Publikováno v:
Thin Solid Films. 519:5364-5370
High deposition rate hydrogenated polymorphous silicon thin films were analyzed using different capacitance techniques. The distribution of localized states and some electrical properties were studied by the temperature, frequency and bias dependence
Autor:
R. Darwich, P. Roca i Cabarrocas
Publikováno v:
Thin Solid Films. 519:5473-5480
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films deposited on crystalline silicon and Corning glass substrate were analyzed using different capacitance techniques. The distribution of localized states and some electronic properties were studied usi