Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"R. Burkova"'
Publikováno v:
Physica Status Solidi (a). 114:K131-K134
Etude des proprietes physique et electrique du silicium dope par implantation ionique au phosphore et recuit par illumination flash. Les couches implantees sont completement activees sans diffusion notable. En utilisant des couches fortement dopees,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40e4558b9827c9639e6af2dd4db39e42
https://doi.org/10.1002/pssa.2211140242
https://doi.org/10.1002/pssa.2211140242
Publikováno v:
MRS Proceedings. 27
Implantation damage in single crystal of CdS produced by 60 keV Bi+ and 45 keV Ne+ at 50 K and at 300 K has been studied. Measurements of Cd disorder and dechanneling behaviour have been made by means of RBS/channeling for He ions ranging in incident
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8efacd4fe3ce853fca4f59157d8054b6
https://doi.org/10.1557/proc-27-323
https://doi.org/10.1557/proc-27-323
Publikováno v:
physica status solidi (a). 92:K107-K108
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::75e8d48ec3cb721c2c9d9369e571c445
https://doi.org/10.1002/pssa.2210920245
https://doi.org/10.1002/pssa.2210920245
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.