Zobrazeno 1 - 10
of 164
pro vyhledávání: '"R. Buchta"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
U. Gustafsson, Ted Johansson, A. Lindberg, Hans Norström, Mikael Östling, S. Nygren, R. Buchta, C. A. Petersson
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 136:805-809
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eb3f9c097bec173b926cac630b70a99e
https://doi.org/10.1149/1.2096747
https://doi.org/10.1149/1.2096747
Publikováno v:
Thin Solid Films. 246:151-157
A new single-wafer rapid thermal processing (RTP) reactor concept for low pressure chemical vapor deposition and other thermal processes has been developed. Instead of optical heating, microwave energy is used to heat the silicon wafer. This gives a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af3981d54317f87e19742d786dbea8d1
https://doi.org/10.1016/0040-6090(94)90744-7
https://doi.org/10.1016/0040-6090(94)90744-7
Autor:
R Buchta, Shi-Li Zhang
Publikováno v:
Physica Scripta. :234-237
Chemical vapour deposition (CVD) of expitaxial silicon was carried out in a single wafer, rapid thermal processing (RTP) reactor chamber. The silicon wafer was heated volumetrically by microwaves. The silicon growth was realised by thermal pyrolysis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::966d059ca193149c6323ff1b3dfbe0d1
https://doi.org/10.1088/0031-8949/1994/t54/057
https://doi.org/10.1088/0031-8949/1994/t54/057
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Research. 6:1886-1891
Tungsten disilicide (WSi2) was formed by annealing tungsten (W) films of 330 nm and 750 nm prepared by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) from tungsten hexafluoride (WF6) on Czochralski 〈100〉-Si substrates. The silicide was found to g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9d2ec22cf7a33c533522358f20e1670f
https://doi.org/10.1557/jmr.1991.1886
https://doi.org/10.1557/jmr.1991.1886
Publikováno v:
Thin Solid Films. 185:9-19
Tungsten and WSi2 have been examined as contact barriers between aluminium and n+ - or p+ -Si. The specific contact resistivity and diode leakage current were evaluated after heat treatment at different temperatures. Rutherford backscattering spectro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac6b62c06e2e5a9bf87802aed3b4367c
https://doi.org/10.1016/0040-6090(90)90003-v
https://doi.org/10.1016/0040-6090(90)90003-v
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 62:3153-3155
Contactless and accurate measurement of the temperature is an important issue in rapid thermal processing. In this letter we report on the variation of the emissivity of the surface during chemical vapor deposition of polycrystalline silicon onto oxi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b86876f3f020eaa23da729428ddf189e
https://doi.org/10.1063/1.109112
https://doi.org/10.1063/1.109112
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.