Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"R. Blice"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 30:4216-4223
Total dose failure levels in digital bipolar microcircuits utilizing recessed oxides were measured at levels as low as 5 Krad(Si). Typical failure levels are in the 10-100 Krad(Si) range. Failure was found to be a strong function of irradiation bias
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b739d9209b8bdc1aecd532f95f360721
https://doi.org/10.1109/tns.1983.4333111
https://doi.org/10.1109/tns.1983.4333111
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
From Displacement Damage to ELDRS: Fifty Years of Bipolar Transistor Radiation Effects at the NSREC.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; Jun2013 Part 2, Vol. 60 Issue 3, p1731-1739, 9p
Autor:
Schrimpf, R.D.
Publikováno v:
Proceedings of the Third European Conference on Radiation & its Effects on Components & Systems; 1996, p9-18, 10p
Autor:
HSU, CHEUNG-HWA
Publikováno v:
Biomedical Engineering: Applications, Basis & Communications; Dec2004, Vol. 16 Issue 6, p337-343, 7p
Autor:
Pease, R. L.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; Jun2003 Part 3 of 4, Vol. 50 Issue 3, p539, 13p, 12 Graphs
Publikováno v:
2013 International Conference on Quality, Reliability, Risk, Maintenance & Safety Engineering (QR2MSE); 2013, p1030-1032, 3p
Autor:
Schrimpf, R.D., Graves, R.J., Schmidt, D.M., Fleetwood, D.M., Pease, R.L., Combs, W.E., DeLaus, M.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; 1995, Vol. 42 Issue 6, p1641-1649, 9p