Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"R. Bingert"'
Publikováno v:
Die Chirurgie. 94:246-255
ZusammenfassungInsbesondere jüngere Kinder sind aufgrund ihrer geringen Körpergröße gefährdet, Opfer von Hundeangriffen zu werden. Ein solcher Beißvorfall kann verschiedene Strafbestände erfüllen. Um möglichen rechtlichen Ansprüchen genüge
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f53ab76dd0f4e44522ef5cbfe29304f3
https://doi.org/10.1007/s00104-022-01741-5
https://doi.org/10.1007/s00104-022-01741-5
Publikováno v:
Chirurgie (Heidelberg, Germany)Literatur.
Younger children in particular are at risk of becoming victims of dog attacks due to their small size. Such a biting incident can fulfil various criminal offences. In order to be able to satisfy possible legal claims, the injuries should be documente
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::fbf57f37d541adb8bbbfb8594f224fae
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36282329
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36282329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Philippe Flatresse, Thierry Poiroux, Vincent Huard, Franck Arnaud, Sebastien Haendler, R. Bingert, Sylvain Clerc
Publikováno v:
2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S).
This paper presents a comprehensive analysis of Adaptive Body Bias (ABB) interests provided by Fully Depleted Silicon On Insulator (FDSOI) technology. At transistor level, we demonstrate a total process variability and temperature effect compensation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5d26e3240522e721d48bd59bde71f107
https://doi.org/10.1109/s3s.2017.8308754
https://doi.org/10.1109/s3s.2017.8308754
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Metallurgical and Materials Transactions A. 33:955-963
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a963fd091d88f40202558ff6a4776a70
https://doi.org/10.1007/s11661-002-0165-7
https://doi.org/10.1007/s11661-002-0165-7
Autor:
B. Le-Gratiet, G. Druais, Denis Rideau, Marie-Anne Jaud, J.-D. Chapon, D. Hoguet, M. Mellier, L. Babaud, Clement Pribat, Emmanuel Josse, D. Barge, S. Puget, J. Mazurier, L. Grenouillet, Nicolas Loubet, S. Zoll, Thierry Poiroux, Jerome Simon, S.P. Fetterolf, M. Bidaud, S. Chhun, M. Vinet, Quanwei Liu, R. Bianchini, E. Bernard, J.-F. Kruck, X. Gerard, C. Gaumer, A. Pofelski, Francois Andrieu, Mustapha Rafik, Olivier Weber, N. Guillot, Pascal Gouraud, F. Abbate, O. Faynot, N. Degors, Olivier Gourhant, Antoine Cros, L. Parmigiani, E. Petitprez, J. Lacord, Patrick Scheer, C. Monget, Michel Haond, Evelyne Richard, P. Maury, Bruce B. Doris, M. Celik, Daniel Benoit, Frederic Monsieur, E. Baylac, L. Clément, S. Lagrasta, Magali Gregoire, J.-P. Manceau, S. Lasserre, P. Perreau, P. Brun, C. Gallon, V. Beugin, Remi Beneyton, Eric Perrin, S. Delmedico, R. Bingert
Publikováno v:
2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers.
This paper presents a 14nm technology designed for high speed and energy efficient applications using strain-engineered FDSOI transistors. Compared to the 28nm FDSOI technology, this 14nm FDSOI technology provides 0.55× area scaling and delivers a 3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aedffd54e01f33ec4661fa88cc9e090c
https://doi.org/10.1109/vlsit.2014.6894343
https://doi.org/10.1109/vlsit.2014.6894343