Zobrazeno 1 - 10
of 1 290
pro vyhledávání: '"R. Baets"'
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 4, Iss 3, Pp 779-788 (2012)
Phase modulation is one of the key functionalities in an integrated photonics circuit. In the silicon photonics platform, several approaches have been undertaken. The thermooptic effect is slow and relatively power hungry, whereas a carrier-based app
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/96536345b22a4da38ab7bfa01906aa55
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 3, Iss 5, Pp 789-798 (2011)
Optical retroreflective markers provide a strong return signal when illuminated by a source, resulting in an easy way to localize and identify an object. As current optical retroreflectors are typically bulky, we have investigated the use of the inte
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5b443d228e244974b93c1e968fe5a88e
Autor:
M. De Melis, U. Morbiducci, L. Scalise, E.P. Tomasini, D. Delbeke, R. Baets, L.M. Van Bortel, P. Segers
Publikováno v:
Artery Research, Vol 2, Iss 3 (2008)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b038643737bc4e27baf1c5877e419f94
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 5, Iss 3, Pp 6601108-6601108 (2013)
An optical isolator for transverse electric (TE) polarized light is demonstrated by adhesive bonding of a ferrimagnetic garnet die on top of a 380 nm thick silicon waveguide circuit. Polarization rotators are implemented in the arms of a nonreciproca
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5dc6e254f61c4d0f9f9926f3be13c184
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 5, Iss 2, Pp 2700413-2700413 (2013)
A novel approach is presented to realize compact III–V-on-silicon microlasers. The concept relies on resonant mirrors in which the close interaction between a III–V waveguide and an underlying silicon cavity provides high narrow-band reflection b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3757a28a58ce42b790c9092dff546022
Autor:
A. Z. Subramanian, P. Neutens, A. Dhakal, R. Jansen, T. Claes, X. Rottenberg, F. Peyskens, S. Selvaraja, P. Helin, B. DuBois, K. Leyssens, S. Severi, P. Deshpande, R. Baets, P. Van Dorpe
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 5, Iss 6, Pp 2202809-2202809 (2013)
PECVD silicon nitride photonic wire waveguides have been fabricated in a CMOS pilot line. Both clad and unclad single mode wire waveguides were measured at λ = 532, 780, and 900 nm, respectively. The dependence of loss on wire width, wavelength, and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27f1ab0a074c492ab91d863de79fd92a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Emerging Technologies in NDT ISBN: 9781003078586
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9355702686642a1572caec88c9d8097c
https://doi.org/10.1201/9781003078586-38
https://doi.org/10.1201/9781003078586-38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.