Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"R. Allinger"'
Autor:
E.-O. Andersen, K. van der Zanden, Y. Gong, L. Pescini, R. Allinger, R. Kakoschke, J.R. Power
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 52:550-556
We have successfully integrated 2 Mb arrays with SiO2/Al2O3 stacks as inter-poly dielectric (IPD) fabricated in a proven 130 nm embedded Flash technology. Gate stack write/erase high voltages (HV) can be reduced by 3 V. Write/erase distributions show
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e3cef8df3246f0d6b365ce58432a9bc
https://doi.org/10.1016/j.sse.2008.01.003
https://doi.org/10.1016/j.sse.2008.01.003
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 47:1251-1257
The electrical/thermal properties of nonplanar polyoxides and the resulting effects for EEPROM operational margins are reported. The polyoxide between floating gate (FG) and control gate (CG) of FLOTOX-type EEPROM cells is nonplanar because it always
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b245da5d31e0cd328d3281aa5b89c6e8
https://doi.org/10.1109/16.842970
https://doi.org/10.1109/16.842970
Autor:
R. Allinger, K. Hofmann, Christian Peters, Mihail Jefremow, Doris Schmitt-Landsiedel, O. Bahlous, W. Allers, J. Otterstedt, S. Kassenetter, Thomas Kern
Publikováno v:
ISSCC
Spin-torque-transfer (STT) MRAM is a promising candidate for embedded non-volatile memory in next generation microcontrollers, because of superior endurance, low process costs and logic supply voltage operation. Two major drawbacks of STT-MRAM techno
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05c76096663ea66ebc6829293c263ecd
https://doi.org/10.1109/isscc.2013.6487706
https://doi.org/10.1109/isscc.2013.6487706
Autor:
R. Duschl, R. Allinger, G. Tempel, Robert Strenz, R. Sikorski, F. Erler, G. Jaschke, R. Kakoschke, D. Shum, A. Duch, M. Canning, J.R. Power, M. Stiftinger
Publikováno v:
2009 IEEE International Memory Workshop.
We present aluminum oxide (AI 2 O 3 ) as high-k Inter-Poly Dielectric (IPD) in a proven 0.13 mum based embedded Flash (eFlash) technology. Full functionality has been demonstrated from a 400Kbyte product demonstrator for the first time published so f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a3dce08f52f6e4b37f93f6d773b418a0
https://doi.org/10.1109/imw.2009.5090578
https://doi.org/10.1109/imw.2009.5090578
Autor:
J. R. Power, D. Shum, Y. Gong, S. Bogacz, J. Haeupel, H. Estel, R. Strenz, R. Kakoschke, K. van der Zanden, R. Allinger, G. Jaschke
Publikováno v:
2008 Joint Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop and International Conference on Memory Technology and Design.
Using a 2Mb embedded Flash cell array as a demonstrator, we reported previously that a 3 V reduction in programming voltage was possible by replacing the ONO inter- poly dielectric (IPD) with an IPD comprising the high-k material, AI2O3 by Kakoschke,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab5caae74b8b452c6ac50be19954f317
https://doi.org/10.1109/nvsmw.2008.33
https://doi.org/10.1109/nvsmw.2008.33
Autor:
K. van der Zanden, E.-O. Andersen, D. Shum, G. Tempel, W. Langheinrich, R. Allinger, R. Kakoschke, L. Pescini, Robert Strenz, J.R. Power, Y. Gong
Publikováno v:
2007 22nd IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop.
We report Flash cell write/erase and reliability data from a 2Mb demonstrator processed using a 0.13 mum based eFlash technology comprising the high-k material, aluminum oxide (Al2O3) within the inter-poly dielectric (IPD) layer. With bottom and top-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::55119629c3cfa088996776219afad3cd
https://doi.org/10.1109/nvsmw.2007.4290567
https://doi.org/10.1109/nvsmw.2007.4290567
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.