Zobrazeno 1 - 10
of 120
pro vyhledávání: '"R. Actis"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R Actis Grosso
A phenomenon studied within the theoretical framework of Experimental Phenomenology is described, together with an experiment mainly aimed at illustrating how Experimental Phenomenology works in practice. Because this phenomenon is easily understood
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8cde7ab3834bcada69e6c1dfd0eed0f9
http://hdl.handle.net/10281/328120
http://hdl.handle.net/10281/328120
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.S. Flynn, Kanin Chu, K.B. Nichols, R. Actis, R.P. Vaudo, M.T. Pizzella, George R. Brandes, Xueping Xu, Joe A. Dion, P.C. Chao, D.E. Meharry
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 25:596-598
High power microwave AlGaN-GaN high electron-mobility transistors (HEMTs) on free-standing GaN substrates are demonstrated for the first time. Measured gate leakage was -2.2 /spl mu/A/mm at -20 V and -10 /spl mu/A/mm at -45 V gate bias. When operated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3fe31eba9668c6776d404b55380024d4
https://doi.org/10.1109/led.2004.833847
https://doi.org/10.1109/led.2004.833847
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.