Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"R. Absin"'
Publikováno v:
2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference. SIMC-XI (Cat. No.00CH37046).
Interfacial coherence in low-strained In/sub x/Ga/sub 1-x/As grown on GaAs substrates has been studied and the critical strains corresponding to layer thicknesses of 0.5, 1.0, and 2.0 /spl mu/m have been determined. The measured critical strains exce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28381cfa02ab67f633012dee44dd0675
https://doi.org/10.1109/sim.2000.939235
https://doi.org/10.1109/sim.2000.939235
Publikováno v:
Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications.
In this work, we present a new approach to determining Poisson's ratio of AlAs. This approach requires the growth of a particular structure with a multiple quantum well (MQW) - 10X[500 angstroms GaAs/800 angstroms AlxGa1-xAs] followed by two single l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e99101d3acfad22fc8883b0ab981d290
https://doi.org/10.1117/12.408422
https://doi.org/10.1117/12.408422
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.