Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

High-precision determination of the temperature-dependent band-gap shrinkage due to the electron-phonon interaction in GaAs

Autor: Heinz Kalt, D. Lüerßen, R. Bleher

Publikováno v: Physical Review B. 61:15812-15816

We use temperature-dependent, spatially resolved photoluminescence on a $\ensuremath{\mu}\mathrm{m}$ scale (\ensuremath{\mu}-PL) to perform high-precision measurements of the band-gap shift in three type-II GaAs/AlAs heterostructures that exhibit nar

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::234e9b04a242082f27dba2928881de26
https://doi.org/10.1103/physrevb.61.15812

Zobrazit plný text záznamu

Stacking-fault-induced pairs of localizing centers in ZnSe quantum wells

Autor: Th. Schimmel, Dimitri Litvinov, Kazuhiro Ohkawa, D. Lüerßen, H. Richter, R. Bleher, Dagmar Gerthsen, Andreas Rosenauer, B. Jobst, Heinz Kalt, A. Kamilli, Detlef Hommel

Publikováno v: Journal of Crystal Growth. :634-638

Pairs of bright spots are observed in microphotoluminescence intensity maps of ZnSe/ZnMgSSe quantum-well structures. These pairs are exactly aligned parallel to the [1 1 0] or [ 1 1 0] directions. Atomic-force microscopy and plan-view transmission el

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::35561f65fc6fd86687c3e6e3d0212b43
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00168-8

Zobrazit plný text záznamu