Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"R van Veldhoven"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M Smit, X Leijtens, H Ambrosius, E Bente, J van der Tol, B Smalbrugge, T de Vries, E-J Geluk, J Bolk, R van Veldhoven, L Augustin, P Thijs, D D, Agostino, H Rabbani, K Lawniczuk, S Stopinski, S Tahvili, A Corradi, E Kleijn, D Dzibrou, M Felicetti, E Bitincka, V Moskalenko, J Zhao ,R Santos ,G Gilardi, W Yao,K Williams, P Stabile, P Kuindersma, J Pello, S Bhat, Y Jiao ,D Heiss , G Roelkens , M Wale, P Firth, F Soares, N Grote, M Schell , H Debregeas, M Achouche, J-L Gentner, A Bakker, T Korthorst, et al., M Smit, X Leijtens, H Ambrosius, E Bente, J van der Tol, B Smalbrugge, T de Vries, E-J Geluk, J Bolk, R van Veldhoven, L Augustin, P Thijs, D DAgostino, H Rabbani, K Lawniczuk, S Stopinski, S Tahvili, A Corradi, E Kleijn, D Dzibrou, M Felicetti, E Bitincka, V Moskalenko, J Zhao, R Santos, G Gilardi, W Yao, K Williams, P Stabile, P Kuindersma, J Pello, S Bhat, Y Jiao, D Heiss, G Roelkens, M Wale, P Firth, F Soares, N Grote, M Schell, H Debregeas, M Achouche, J-L Gentner, A Bakker, T Korthorst
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=erc_________::f609f10ead30b21f9cb7c85c24769929
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. van Veldhoven, R.W. van der Heijden, H. W. M. Salemink, C.F. Carlstrom, R Richard Nötzel, F Fouad Karouta, E. van der Drift, Anne Talneau
Publikováno v:
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2005..
We have fabricated two-dimensional photonic crystals in InP-based materials with Cl/sub 2/-based inductively coupled plasma etching. To obtain vertical sidewalls, we employ sidewall passivation through addition of N/sub 2/ or O/sub 2/ to the plasma.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::02d5df5a99a57a1d4dacb9fffeafecd6
https://doi.org/10.1109/iciprm.2005.1517489
https://doi.org/10.1109/iciprm.2005.1517489
Autor:
R. van Veldhoven
Publikováno v:
2003 IEEE International Solid-State Circuits Conference, 2003. Digest of Technical Papers. ISSCC..
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42cf7c1ca2805945fb8de961eafbf7cf
https://doi.org/10.1109/isscc.2003.1234207
https://doi.org/10.1109/isscc.2003.1234207
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.