Zobrazeno 1 - 10 of 23 pro vyhledávání: '"Röschenthaler, D."'
1
Akademický článek
Nd:YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon: Dependence upon scanning speed and power density.
Autor: Tsien, P. H., Ryssel, H., Röschenthaler, D., Ruge, I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul1981, Vol. 52 Issue 7, p4775-4779, 5p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Nd:YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon: Relaxation of metastable concentrations by means of CO2-laser irradiation.
Autor: Tsien, P. H., Ryssel, H., Röschenthaler, D., Ruge, I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1981, Vol. 52 Issue 4, p2987-2989, 3p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Nd: YAG laser annealing of gallium-implanted silicon.
Autor: Takai, M., Tsou, S., Tsien, P., Röschenthaler, D., Ryssel, H.
Publikováno v: Applied Physics; 1981, Vol. 24 Issue 4, p319-322, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Front and back surface cw CO-laser annealing of arsenic ion-implanted silicon.
Autor: Tsou, S., Tsien, P., Takai, M., Röschenthaler, D., Ramin, M., Ryssel, H., Ruge, I.
Publikováno v: Applied Physics; 1980, Vol. 23 Issue 2, p163-168, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
CW CO-laser annealing of arsenic implanted silicon.
Autor: Takai, M., Tsien, P., Tsou, S., Röschenthaler, D., Ramin, M., Ryssel, H., Ruge, I.
Publikováno v: Applied Physics; 1980, Vol. 22 Issue 2, p129-136, 8p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Nitrogen implantation in GaAsP (x=0.4; 0.65).
Autor: Takai, M., Ryssel, H., Röschenthaler, D.
Publikováno v: Applied Physics; 1980, Vol. 21 Issue 3, p241-248, 8p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
Front and back surface cw CO2-laser annealing of arsenic ion-implanted silicon
Autor: Tsou, S., Tsien, P., Takai, M., Röschenthaler, D., Ramin, M., Ryssel, H., Ruge, I.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing; October 1980, Vol. 23 Issue: 2 p163-168, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Nitrogen implantation in GaAs1−xPx (x=0.4; 0.65)
Autor: Takai, M., Ryssel, H., Röschenthaler, D.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing; March 1980, Vol. 21 Issue: 3 p241-248, 8p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
CW CO2-laser annealing of arsenic implanted silicon
Autor: Takai, M., Tsien, P., Tsou, S., Röschenthaler, D., Ramin, M., Ryssel, H., Ruge, I.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing; June 1980, Vol. 22 Issue: 2 p129-136, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje