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pro vyhledávání: '"Rétrodiffusion élestique à moyenne énergie - MEIS"'
Autor:
Pelloux-Gervais, David
L’intégration de semiconducteurs III-V à gap direct sur silicium est un enjeu de taille pour le développement de l’optoélectronique. En effet, si le silicium est aujourd’hui à la base de la microélectronique, la nature indirecte de son ga
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012ISAL0109/document
Autor:
Pelloux-Gervais , David
Publikováno v:
Autre. INSA de Lyon, 2012. Français. ⟨NNT : 2012ISAL0109⟩
Autre. INSA de Lyon, 2012. Français. 〈NNT : 2012ISAL0109〉
Autre. INSA de Lyon, 2012. Français. 〈NNT : 2012ISAL0109〉
The integration on silicon of direct band gap materials such as some semiconductors from the III-V group is of a rising interest for tomorrow's optoelectronic devices. Although silicon is the raw material for many microelectronic devices, it has a po
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f18be3214c40561e0ae9ca228a1194d0
https://theses.hal.science/tel-00838787
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