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Autor:
Rosenbaum, Tommy
Les procédés bipolaires semi-conducteurs complémentaires à oxyde de métal (BiCMOS) peuvent être considérés comme étant la solution la plus généralepour les produits RF car ils combinent la fabrication sophistiquée du CMOSavec la vitesse e
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017BORD0550/document
Autor:
ROSENBAUM, Tommy
Bipolare komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter (BiCMOS) Prozesse bietenhervorragende Rahmenbedingungen um Hochfrequenzanwendungen zurealisieren, da sie die fortschrittliche Fertigungstechnik von CMOS mit derGeschwindigkeit und Treiberleistung von Sil
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::cb7028753ba4ebc357f11901f68aaeb1
https://theses.hal.science/tel-01504430
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