Výsledky vyhledávání - "Résistance Différentielle Négative"

Résistance différentielle négative contrôlée en courant dans le dioxyde de niobium

Autor: Fakih, Ali

Publikováno v: Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]. Sorbonne Université, 2019. English. ⟨NNT : 2019SORUS099⟩

Niobium dioxide (NbO2) has been recently gaining a lot of interest in the fields of solid state physics and technological nano-devices. On one hand, NbO2 undergoes a structural distortion accompanied by an electronic phase transition where the materi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b1f74be86f154ab4e95976c23bd35f7e
https://theses.hal.science/tel-03371422/file/FAKIH_Ali_2019.pdf

Zobrazit plný text záznamu

Dissertation/ Thesis

Composants mémoires et effet NDR dans les dispositifs à base de matériaux hybrides : organiques/nanoparticules d'or

Autor: Zhang, Tianchen

Le travail présenté dans cette thèse porte sur l’étude des propriétés électriques et des mécanismes physiques d’un dispositif à base du matériau hybride : PTEDOT-AuNPs et de son application dans le domaine des mémoires résistives non-

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2016LIL10215/document

Zobrazit plný text záznamu

Dissertation/ Thesis

Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité et de la dégradation de films minces d'oxyde pour applications MOS et MIM

Autor: Foissac, Romain

L'intégration de diélectriques High-k dans les empilements de grille des dispositifs MOS a fait naître de nouvelles interrogations concernant la fiabilité des futurs nœuds technologiques. La miniaturisation constante des dispositifs conduisant �

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2015GREAT047/document

Zobrazit plný text záznamu

Study of the reliability and degradation of ultra-thin oxide layers at nanometric scale by scanning probe microscopy for MOS and MIM applications

Autor: Foissac, Romain

Publikováno v: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2015. Français. ⟨NNT : 2015GREAT047⟩

Integration of High-k dielectrics in gate oxides of MOS raised new issues concerning the reliability of futur technology nodes. The constant miniaturisation of devices leads to thinner gate oxides, making their electrical caracterisation more complex

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::527287d5107b98a0005232da7f9e7433
https://theses.hal.science/tel-01218188

Zobrazit plný text záznamu

Dissertation/ Thesis

Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité de diélectriques minces pour l'intégration dans les composants microélectroniques du futur

Autor: Delcroix, Pierre

Afin de pouvoir continuer la miniaturisation de la brique de base des circuits électroniques, le transistor MOS, l’introduction d’oxyde de grille à haute permittivité était inévitable. Un empilement de type high-k/grille métal en remplaceme

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2012GRENT080/document

Zobrazit plný text záznamu

Study at nanoscale, using scanning probe microscopy, of thin dielectric fialibilty for futur integrated devices in microelectronic field

Autor: Delcroix, Pierre

Publikováno v: Autre. Université de Grenoble, 2012. Français. ⟨NNT : 2012GRENT080⟩

In order to continue the scaling of the MOS transistor the replacement of the gate oxide layer by a high K/Metal gate was mandatory. From a reliability point of view, the introduction of these new materials could cause a lifetime reduction. To test t

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b335ec5ba85af1aa348929702e1e7140
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00822926/file/25471_DELCROIX_2012_archivage.pdf

Zobrazit plný text záznamu

Dissertation/ Thesis

Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium

Autor: Boucherit, Mohamed

Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les am

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2012LIL10004/document

Zobrazit plný text záznamu

Ultra-thin nanograin polysilicon devices for hybrid CMOS-NANO integrated circuits

Autor: Ecoffey, Serge

The aim of this research is to develop and to evaluate devices and circuits performances based on ultrathin nanograin polysilicon wire (polySiNW) dedicated to room temperature operated hybrid CMOS-"nano" integrated circuits. The proposed polySiNW dev

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6753669c95a3c8d15ecef848d67fe132

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání