Zobrazeno 1 - 10
of 248
pro vyhledávání: '"R, Ratajczak"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. V. Kuchuk, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, R. Ratajczak, K. Golaszewska, E. Kaminska, V. Kladko, A. Piotrowska
Publikováno v:
Advances in Condensed Matter Physics, Vol 2016 (2016)
The fabrication of low-resistance and thermal stable ohmic contacts is important for realization of reliable SiC devices. For the n-type SiC, Ni-based metallization is most commonly used for Schottky and ohmic contacts. Many experimental studies have
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2174d9ccbfb1419883c765eb868abc28
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 91:306-309
Resonant photoemission spectroscopy (RPES), which is a useful tool for extracting photoemission response of the localized Rare Earth (RE) impurity levels from the host electronic band structure, was used to study ZnO:Yb films. The resonant enhancemen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f8139f03d91b5ea6443d4c9de6449ba
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.11.037
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.11.037
Autor:
Y. Syryanyy, M. Zając, E. Guziewicz, W. Wozniak, Y. Melikhov, M. Chernyshova, R. Ratajczak, I.N. Demchenko
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 144:106609
Virgin and Yb-implanted epitaxial ZnO films grown using atomic layer deposition (ALD) were investigated by X-ray absorption spectroscopy (XAS). XAS study revealed a strong polarization dependence of films determined by the orientation of the polariza
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9342dfebd0d0282606e324519b188c1b
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106609
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106609
Autor:
Yevgen Melikhov, J. Z. Domagala, Kamil Sobczak, Maciej Sawicki, Adam Barcz, N. V. Gavrilov, R. Minikaev, Elżbieta Dynowska, R. Ratajczak, Iraida N. Demchenko, Mateusz Walczak, Maryna Chernyshova, Y. Syryanyy
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 846:156433
The structural, electronic, and magnetic properties of low-energy rhenium implanted c-Si are examined for the first time. The damage created by rhenium ions and the following partial reconstruction of the silicon host matrix after rapid thermal annea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a57acb6cefba75c24f9d0c7b370cc491
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.156433
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.156433
Autor:
Richard A. Wilhelm, K. Mazur, S. Akhamadaliev, W. Wierzchowski, R. Ratajczak, P. Jóźwik, Carsten Paulmann, A. Stonert, K. Wieteska, A. Turos
Publikováno v:
X-Ray Spectrometry. 44:371-378
The implantations were performed in 4H silicon carbide homoepitaxial layers deposited on (00.1) substrates with 8° offcut, and reference 4H-SiC substrates. The 2 MeV Se+ ions and 1 MeV Al+ ions were implanted with four fluences subsequently increase
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6dc1f3ef656ebf4263bfb4597f843af5
https://doi.org/10.1002/xrs.2642
https://doi.org/10.1002/xrs.2642
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.