Zobrazeno 1 - 10
of 441
pro vyhledávání: '"R, Dut"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 63669-63682 (2024)
The increase in ${R} _{DUT}$ , the on-state resistance of power semiconductor devices, is used to estimate the remaining useful life (RUL) of the devices. Conventional online measurement of $R_{DUT}$ involves on-state voltage measurement of the on-st
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/de3e4db63c30428c8effd5a61de7f4d6
Publikováno v:
Journal of investigational allergologyclinical immunology. 19(1)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::d58ed8f11d7f401916d221c1e8a02ef6
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/19274934
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/19274934
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.