Zobrazeno 1 - 10
of 1 499
pro vyhledávání: '"Qureshi, S. A."'
Autor:
Mehrotra, Shruti, Qureshi, S.
The doped silicon regions (tubs) in PWFDSOI MOSFET cause significant reduction in OFF current by reducing the number of carriers contributing to the OFF current. The emphasis of the simulation and device physics study on PWFDSOI MOSFET presented in t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.02336
Autor:
Mehrotra, Shruti, Qureshi, S.
A novel planar device having doped silicon regions (tubs) under the source and drain of an FDSOI MOSFET is reported at 20 nm gate length. The doped silicon regions result in formation of potential wells (PW) in the source and drain regions of FDSOI M
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.02270
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rasool, A., Farooq, S., Kumar, S., Kashoo, Z.A., Dar, P.A., Bhat, M.A., Qureshi, S., Hussain, I., Shah, R.A., Taku, A., Khan, I., Hassan, M.N.
Publikováno v:
In Microbial Pathogenesis September 2023 182
Autor:
Mehrotra, Shruti, Qureshi, S.
The paper presents simulation study of thin ferroelectrics (Si doped HfO2, PZT) PGP FDSOI NCFETs at circuit level for high performance, low VDD low-power digital circuits. The baseline PGP FDSOI MOSFET has 20 nm metal gate length with supply voltage
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1906.05031
Publikováno v:
Child and Adolescent Psychiatry and Mental Health, Vol 17, Iss 1, Pp 1-11 (2023)
Abstract Background Risk of being diagnosed with different developmental disorders is found to vary with immigrant background. Knowledge about such differences in Norway are a starting point for equity in health services quality, and for early identi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1fbed8881fb644b1a5587244b00d22fd
Autor:
QURESHI, S. H.1 sajjads2002@yahoo.com, KHAN, D. M.1 khan.dostkhan@iub.edu.pk, RAZZAQ, A.2 murad.baig@numl.edu.pk, BAIG, M. M.3 abdul.razzaq@mnsuam.edu.pk, BUKHARI, S. Z. A.3
Publikováno v:
SABRAO Journal of Breeding & Genetics. Feb2024, Vol. 56 Issue 1, p292-301. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
QURESHI, S. H.1 sajjads2002@yahoo.com, KHAN, D. M.1 khan.dostkhan@iub.edu.pk, BUKHARI, S. Z. A.2 syed.zainulabdin@numl.edu.pk
Publikováno v:
SABRAO Journal of Breeding & Genetics. Dec2023, Vol. 55 Issue 6, p1972-1983. 12p.
Autor:
Senok A, Alfaresi M, Khansaheb H, Nassar R, Hachim M, Al Suwaidi H, Almansoori M, Alqaydi F, Afaneh Z, Mohamed A, Qureshi S, Ali A, Alkhajeh A, Alsheikh-Ali A
Publikováno v:
Infection and Drug Resistance, Vol Volume 14, Pp 2289-2296 (2021)
Abiola Senok,1,* Mubarak Alfaresi,2,* Hamda Khansaheb,3 Rania Nassar,1,4 Mahmood Hachim,1 Hanan Al Suwaidi,1 Majed Almansoori,2 Fatma Alqaydi,2 Zuhair Afaneh,2 Aalya Mohamed,2 Shahab Qureshi,2 Ayman Ali,2 Abdulmajeed Alkhajeh,3 Alawi Alsheikh-Ali1,3
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9d0cf497f68d4d028515d861adcf3f7e