Zobrazeno 1 - 10
of 315
pro vyhledávání: '"Quhe, Ruge"'
Autor:
Xu, Linqiang, Xu, Lianqiang, Lan, Jun, Li, Yida, Li, Qiuhui, Wang, Aili, Guo, Ying, Ang, Yee Sin, Quhe, Ruge, Lu, Jing
Ultra-thin (UT) oxide semiconductors are promising candidates for back-end-of-line (BEOL) compatible transistors and monolithic three-dimensional integration. Experimentally, UT indium oxide (In$_2$O$_3$) field-effect transistors (FETs) with thicknes
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2311.02943
Autor:
Xu, Linqiang, Xu, Lianqiang, Li, Qiuhui, Fang, Shibo, Li, Ying, Guo, Ying, Wang, Aili, Quhe, Ruge, Ang, Yee Sin, Lu, Jing
Gate-all-around (GAA) nanowire (NW) field-effect transistor (FET) is a promising device architecture due to its superior gate controllability than that of the conventional FinFET architecture. The significantly higher electron mobility of indium phos
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.14045
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures January 2025 165
Publikováno v:
In Computational Materials Science May 2024 240
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures October 2023 154
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 May 2023 619
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li, Hong, Li, Qiuhui, Li, Ying, Yang, Zongmeng, Quhe, Ruge, Sun, Xiaotian, Wang, Yangyang, Xu, Lin, Peng, Lian‐mao, Tian, He, Qiu, Chenguang, Lu, Jing
Publikováno v:
Advanced Functional Materials; 9/18/2024, Vol. 34 Issue 38, p1-22, 22p
Autor:
Hu, Yu, Meng, Zhen, Wang, Song, Zou, Yunfei, Wang, Panpan, Quhe, Ruge, Hu, Yanzhu, Song, Gang
Publikováno v:
In Results in Physics January 2022 32