Approche de modélisation distribuée appliquée aux composants semi-conducteurs bipolaires de puissance en VHDL-AMS. Application à la diode PIN de puissance et à l'IGBT

Autor: Hneine, Adnan

Publikováno v: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier-Toulouse III, 2012. Français
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier-Toulouse III, 2012. Français. ⟨NNT : ⟩

The distributed modeling approach of power bipolar devices implemented compactly by solving the ambipolar diffusion equation in the form of a Fourier series decomposition achieve an excellent compromise between accuray of results/simulation time. The

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a1734a8e101bf14fbe1b67b54be448df
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00735553/document