Výsledky vyhledávání - "Quenette, V."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Experimental and theoretical investigation of the ‘apparent’ mobility degradation in Bulk and UTBB-FDSOI devices: A focus on the near-spacer-region resistance

Autor: RIDEAU, D., MONSIEUR, F., NIER, O., NIQUET, Y., LACORD, J., QUENETTE, V., MUGNY, G., HIBLOT, G., GOUGET, G., QUOIRIN, M., SILVESTRI, L., NALLET, F., TAVERNIER, C., JAOUEN, H.

Publikováno v: 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2014, Yokohama, France. pp.101-104

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5c85426b1d32fc34897b9ddcbecec49a
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02138853

Zobrazit plný text záznamu

Embedded non-volatile memory study with surface potential based model

Autor: Garetto, D., Zaka, A., Quenette, V., Rideau, D., Dornel, E., F. Clark, W., Minondo, M., Tavernier, C., Rafhay, Q., Clerc, R., Schmid, A., Leblebici, Y., Jaouen, H.

Publikováno v: NSTI Nanotech 2009, Workshop on Compact Modeling (WCM 2009)
NSTI Nanotech 2009, Workshop on Compact Modeling (WCM 2009), May 2009, Ston, United States. pp.554-557

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::05e825227a46593dd725abcba334f015
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00604191

Zobrazit plný text záznamu

Dynamic Charge Sharing modeling for surface potential based models

Autor: Quenette, V., Rideau, D., Clerc, R., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: Proceedings in Nanotech 2009
NSTI Nanotech 2009, Workshop on Compact Modeling (WCM 2009)
NSTI Nanotech 2009, Workshop on Compact Modeling (WCM 2009), May 2009, Houston, United States. pp.558-56

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bf1bc411040b14df3f61ccfd0529debe
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00604194

Zobrazit plný text záznamu

Conference

The importance of the spacer region to explain short channels mobility collapse in 28nm Bulk and FDSOI technologies.

Autor: Monsieur, F., Denis, Y., Rideau, D., Quenette, V., Gouget, G., Tavernier, C., Jaouen, H., Ghibaudo, G., Lacord, J.

Publikováno v: 2014 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC); 2014, p254-257, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Characterization & modeling of gate-induced-drain-leakage with complete overlap and fringing model.

Autor: Rideau, D., Quenette, V., Garetto, D., Dornel, E., Weybright, M., Manceau, J.P., Saxod, O., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: 2010 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS); 2010, p210-213, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Monitoring variability of channel doping profile in the 45nm node MOSFET through reverse engineering of electrical back-bias effect.

Autor: Lemoigne, P., Quenette, V., Juge, A., Rideau, D., Retailleau, S., Zaid, L., Dufaza, C., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: 2009 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference; 2009, p383-386, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Electrical characterization and compact modeling of MOSFET body effect.

Autor: Quenette, V., Lemoigne, P., Rideau, D., Clerc, R., Ciampolini, L., Minondo, M., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: 2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon; 2008, p163-166, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání