Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"Qi, Shufeng"'
Autor:
Deng, Chenlong, Qi, Shufeng, Tang, Weiming, Hui, Mengtang, Zou, Xuan, Wang, Yawei, Li, Yangyang, Guo, Chi
Publikováno v:
In Advances in Space Research 15 April 2022 69(8):3044-3058
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xiao, Wendong, Leng, Lu, Qi, Shufeng, Zhao, Hang, Wang, Hong, Quan, Wei, Chang, Ming, Ge, Minna, Yang, Yongjun, Li, Kunpeng, Lin, Xiaofang
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; August 2023, Vol. 12719 Issue: 1 p127190K-127190K-10, 12591821p
Publikováno v:
Geo-Spatial Information Science; Mar2023, Vol. 26 Issue 1, p94-106, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qi, Shufeng, Zhao, Hang, Wang, Hong, Quan, Wei, Chang, Ming, Ge, Minna, Yang, Yongjun, Li, Kunpeng, Lin, Xiaofang
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 11/18/2023, Vol. 12719, p127190K-127190K-10, 1p
Publikováno v:
High Power Laser and Particle Beams. 25:522-526
Publikováno v:
High Power Laser and Particle Beams. 24:2935-2940
Publikováno v:
The 2006 4th Asia-Pacific Conference on Environmental Electromagnetics.
This paper deals with a sensitive ports study on typical silicon transistors caused by human body model (HBM) electrostatic discharge (ESD). It is shown that the most sensitive port is not always the EB junctions, as most scholars have stated.