Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Q.W Ren"'
Autor:
T.S.E Hung-Fat, Q.W Ren, Y.U Si-Yeung, T.S.E Yi-Kei, W.O.N.G Pui-Fai, W.U Mei-Zhen, L.I Hang-Long, Y.I.U Kai-Hang
Publikováno v:
European Heart Journal. 42
Background Increasing number of heart failure (HF) patients diagnosed with dementia due to improved treatment and aging population. Data relating to the association of statin use on the risk of dementia incidence among patients with HF are sparse. Me
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ad890c62879042b54ff250c0358eb35
https://doi.org/10.1093/eurheartj/ehab724.0850
https://doi.org/10.1093/eurheartj/ehab724.0850
Autor:
P F Wong, Si-Yeung Yu, Hung-Fat Tse, Y K Tse, M Z Wu, Q.W Ren, Kai-Hang Yiu, K Y Li, Y Feng, C K L Leung, Y Huo, H L Li, L Y Lam, A S Y Yu
Publikováno v:
European Heart Journal. 42
Background Computational pressure-flow dynamics derived fractional flow reserve (caFFR) is a novel index developed to evaluate the extent of myocardial ischemia in patients with coronary artery disease (CAD), which eliminates the need of invasive pre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e739a711ec454c81b38d252fe779fb3a
https://doi.org/10.1093/eurheartj/ehab724.1405
https://doi.org/10.1093/eurheartj/ehab724.1405
Publikováno v:
European Heart Journal. 41
Background Previous studies have demonstrated that the presence of moderate and severe degree of tricuspid regurgitation (TR) is associated with adverse outcome in patients with heart failure with reduced ejection fraction. However, little is known a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac4bfdb569f1de7d03da06241dd5d4b6
https://doi.org/10.1093/ehjci/ehaa946.0858
https://doi.org/10.1093/ehjci/ehaa946.0858
Autor:
Lis K. Nanver, W.D. van Noort, H.W. van Zeijl, Jan W. Slotboom, T.L.M. Scholtes, Q.W. Ren, L.C.M. van den Oever
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 45:1899-1904
A detailed experimental study has been made of the issues related to base dopant activation and mesa isolation in collector-up SiGe HBTs. It is concluded that to avoid excessive emitter–base diode leakage: (i) the metallurgic emitter–base junctio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e4c6b99a53970a2daa67764fb42b5d02
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00230-1
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00230-1
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 12:313-316
Ultra-shallow diodes have been fabricated by epitaxially growing thin layers of highly doped Si or strained SiGe on silicon substrate wafers and contacting with Al/1%Si. Ideal diode I –V characteristics were achieved for both n+p and p+n junctions
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93dae443961b6fa7a77f170450f2de3e
https://doi.org/10.1023/a:1011240226921
https://doi.org/10.1023/a:1011240226921
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 36:179-182
Low-stress silicon-rich SiNx deposited at or below 700 °C by either LPCVD or PECVD has been studied for potential use in the surface processing of a 45 GHz SiGe HBT IC-process. The films underwent a thermal anneal at 700 °C and in all cases a thin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::979bb518d95e9ae67d627b71dd598e67
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00043-9
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00043-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.