Zobrazeno 1 - 10
of 240
pro vyhledávání: '"Q.-Y. Tong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Q. Y. Tong, Zhigang Xiao, Linkun Wu, Jun-Lü Chen, Manman Li, Juanying Wang, Wenxiong Lin, Bo Yang
Publikováno v:
Plant Disease. 103:1419-1419
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Thermophysics. 23:635-647
The self-diffusion coefficient of non-associating fluids at moderate density and high density were calculated by the hard-sphere chain (HSC) equation obtained by the Chapman–Enskog method of solution which is corrected by molecular dynamics simulat
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 29:928-933
Material integration by wafer bonding and layer transfer is one of the main approaches to increase functionality of semiconductor devices and to enhance integrated circuits (IC) performance. Even though most mismatches such as different lattice const
Autor:
Ulrich Gösele, Q.-Y. Tong
Publikováno v:
Advanced Materials. 11:1409-1425
In advanced microsystems various types of devices (metal-oxide semiconductor field-effect transistors, bipolar transistors, sensors, actuators, microelectromechanical systems, lasers) may be on the same chip, some of which are 3D structures in nature
Autor:
Andreas Schumacher, P. Kopperschmidt, St. Senz, Roland Scholz, Gertrud Dr. Kräuter, Y. Bluhm, Y.-L. Chao, L.-J. Huang, T.-H. Lee, Q.-Y. Tong, G. Kästner, Ulrich Gösele
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 17:1145-1152
Semiconductor wafer bonding has increasingly become a technology of choice for materials integration in microelectronics, optoelectronics, and microelectromechanical systems. The present overview concentrates on some basic issues associated with wafe