Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"Q. Smets"'
Autor:
Yu. Yu. Illarionov, A. Karl, Q. Smets, B. Kaczer, T. Knobloch, L. Panarella, T. Schram, S. Brems, D. Cott, I. Asselberghs, T. Grasser
Publikováno v:
npj 2D Materials and Applications, Vol 8, Iss 1, Pp 1-7 (2024)
Abstract Recent advances in fabricating field-effect transistors with MoS2 and other related two-dimensional (2D) semiconductors have inspired the industry to begin with the integration of these emerging technologies into FAB-compatible process flows
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/495c23d046af4e85b540f6924bd98a6e
Autor:
L. Panarella, B. Kaczer, Q. Smets, D. Verreck, T. Schram, D. Cott, D. Lin, S. Tyaginov, I. Asselberghs, C. Lockhart de la Rosa, G. S. Kar, V. Afanas'ev
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::decdeee84a7c5ca253289691124cc65a
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117803
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117803
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Chasin, J. Franco, K. Triantopoulos, H. Dekkers, N. Rassoul, A. Belmonte, Q. Smets, S. Subhechha, D. Claes, M. J. van Setten, J. Mitard, R. Delhougne, V. Afanas'ev, B. Kaczer, G. S. Kar
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a2d3ae4b0a6eb6bc4242e387dd350cc
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720666
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720666
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.