Zobrazeno 1 - 10
of 85
pro vyhledávání: '"Q. P. Feng"'
Publikováno v:
eXPRESS Polymer Letters, Vol 6, Iss 11, Pp 903-913 (2012)
A new method is reported on preparation of multifunctional free-standing Ni/epoxy composite films with comprehensive physical properties under an applied magnetic field. A water soluble poly(vinyl alcohol) film is used as an interlayer film to separa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b593b2629de640e59317b0a49dc84dc6
Publikováno v:
Earth System Dynamics, Vol 9, Pp 1085-1095 (2018)
If the Paris Agreement targets are to be met, there may be very few years left for policy makers to start cutting emissions. Here we calculate by what year, at the latest, one has to take action to keep global warming below the 2 K target (rela
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bc13326922504285b43ca9c8b104b7b0
Publikováno v:
Earth System Dynamics, Vol 9, Pp 969-983 (2018)
The skill of current predictions of the warm phase of the El Niño Southern Oscillation (ENSO) reduces significantly beyond a lag time of 6 months. In this paper, we aim to increase this prediction skill at lag times of up to 1 year. The new metho
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0cd975590e424c5a8edb9b4db32d00f5
Publikováno v:
Earth System Dynamics, Vol 8, Pp 707-717 (2017)
Earth's global mean surface temperature has increased by about 1.0 °C over the period 1880–2015. One of the main causes is thought to be the increase in atmospheric greenhouse gases. If greenhouse gas emissions are not substantially decreased,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5ef7b4f0eaed4aec86d07761d5103f9e
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 10, Iss 8, p 2736 (2020)
Globally, more and more attention has been paid to the integrity of Girth Welds (GW) of oil and gas pipelines due to their failures with high consequences. A primary concern is that defects originate during field construction but over time may be sub
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4b42facd18694365a546861d426c029e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1619:012002
The Insulated Gate Transistors (IGBT) is a kind of semiconductor that is prone to aging in power electronic equipment. After aging, the IGBT will not only degrade during its operating performance, but will also reduce the reliability of the electroma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e5a888cfc454ccd3d6f063c239244edc
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1619/1/012002
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1619/1/012002
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.