Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"Q. J. Xing"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Q.-J. Xing, Zhaohui Wu
Publikováno v:
Molecular Simulation. 32:465-470
A rectangular structural unit cell of a-Al2O3 is generated from its hexagonal one. For the rectangular structural crystal with a simple interatomic potential [Matsui, Mineral Mag. 58A, 571 (1994)], the relations of lattice constants to homogeneous pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7dacbb26b635533b2ac74fe73832a269
https://doi.org/10.1080/08927020600789151
https://doi.org/10.1080/08927020600789151
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 84:2099-2104
The temperature dependence of the current–voltage characteristics of Ni–GaN Schottky barriers have been measured and analyzed. It was found that the enhanced tunneling component in the transport current of metal-GaN Schottky barrier contacts is a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1611c202a364364712698d7fa697d2a6
https://doi.org/10.1063/1.368270
https://doi.org/10.1063/1.368270
Publikováno v:
Solid State Communications. 98:1009-1013
The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence and x-ray diffraction characteristics of a highly strained InAs InP single quantum well structure grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition has been investigated. Rapid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44128e6e31d36ceba73658902684ec59
https://doi.org/10.1016/0038-1098(96)00163-9
https://doi.org/10.1016/0038-1098(96)00163-9
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 73:3917-3919
The internal photoemission method was used to measure the Schottky barrier height of Ni on AlGaN/GaN heterostructures. A barrier height of 1.31 eV was found for the Ni/Al0.15Ga0.85N/GaN heterojunction structure, as compared to a barrier height of 1.2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6920debf5618d1639e2666fa41de77fb
https://doi.org/10.1063/1.122935
https://doi.org/10.1063/1.122935
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 73:238-240
The electrical characteristics of Ni and Ti Schottky barriers on n-Al0.15Ga0.85N on SiC were investigated. We report that the barrier height for Ni on n-Al0.15Ga0.85N was about 1.26 eV and about 1 eV or less for Ti. These barrier heights are about 0.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f74706efbaa98f50e8a3e4084f4c140
https://doi.org/10.1063/1.121767
https://doi.org/10.1063/1.121767