Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"Pulsed measurement"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lopes, Inês Cristina Pereira
With the exponential evolution of mobile networks, the systems are demanded, not only to work at high power levels and to be more efficient, but also to operate at higher frequencies and with more bandwidth. For that, the scientific community is alwa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2292::77fd892c5bc7a9c1a94efe97fa02b07b
http://hdl.handle.net/10773/34983
http://hdl.handle.net/10773/34983
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:3069-3074
This article deals with the characterization of charge trapping dynamics in a novel 100-nm double-heterojunction AlN/GaN/AlGaN-on-Si radio frequency (RF) HEMT process. In order to study the detrapping mechanisms, we perform the wideband acquisitions
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::05d8aad6f3226bf8ce6b78e78fea4a32
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3000983
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3000983
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
This work describes an on-wafer measurement architecture tailored to the broadband pulsed characterization of radio-frequency (RF) power field-effect transistors (FETs). Based on a 50- Ω environment and corresponding wave-variable domain representat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d30c3bc1ad962ce28b2dadaad97ffb15
http://hdl.handle.net/11585/841352
http://hdl.handle.net/11585/841352
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. :1-14
This paper presents a novel empirical model for gallium nitride on silicon carbide high-electron mobility transistors. A global state-space formulation describes charge trapping effects by means of suitable 2-D nonlinear lag functions of the applied
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ad60d556a70c31d2637a479cd690a226
https://doi.org/10.1109/tmtt.2018.2857830
https://doi.org/10.1109/tmtt.2018.2857830