Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"Pulsed I-V"'
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 1, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract In this study, the domain switching mechanism of ferroelectric HZO thin films is investigated by analyzing the bulk charge of a graphene field‐effect transistor with an HZO dielectric device by using a pulsed IV measurement method. The dom
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2d2a08ac013f43dba2ec9ea1d23a3991
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 540-546 (2022)
A comprehensive study on dynamic characteristics of GaN MISHEMT with a 5nm-thick in-situ SiNx dielectric is presented. Effects of both negative and positive gate bias on threshold voltage instability were investigated and miniature threshold voltage
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ddd1e7abb61943f79eb6db1a29c14367
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials; Volume 16; Issue 12; Pages: 4469
In this study, we present a detailed analysis of trapping characteristics at the AlxGa1−xN/GaN interface of AlxGa1−xN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) with reliability assessments, demonstrating how the composition of the Al in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::d0462dd8db9a44c0407028de7354ebff
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.