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Dissertation/ Thesis
Dispositifs infrarouges à cascade quantique à base de semiconducteurs GaN/AlGaN et ZnO/ZnMgO
Autor: Jollivet, Arnaud
Ce mémoire de thèse est consacré à l’étude et au développement des hétérostructures semi-conductrices à base de GaN et ZnO. Ces matériaux sont particulièrement prometteurs pour le développement de composants optoélectroniques inter-sou
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2019SACLS058/document
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Infrared quantum cascade devices based on GaN/AlGaN and ZnO/ZnMgO semiconductors
Autor: Jollivet, Arnaud
Publikováno v: Physique Quantique [quant-ph]. Université Paris Saclay (COmUE), 2019. Français. ⟨NNT : 2019SACLS058⟩
This manuscript focuses on the study and on the development of semiconductor heterostructures based on GaN and ZnO material. These materials are particularly promising for the development of infrared optoelectronic intersubband devices in particular
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______212::d459bfb2d73578772f58eb01c4b44f09
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02114588/file/70883_JOLLIVET_2019_diffusion.pdf
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Ultra-strong light–matter coupling and superradiance using dense electron gases
Autor: Angela Vasanelli, Yanko Todorov, Carlo Sirtori
Publikováno v: Comptes Rendus Physique. 17(8):861-873
The physics of the interaction between a dense two-dimensional electron gas and a microcavity photonic mode is reviewed. For high electronic densities, this system enters the ultra-strong coupling regime in which the Rabi energy, which measures the s
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::43590a48ee9a23253fd52954fd5ab03c
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Dissertation/ Thesis
Etude de la structure de bande de puits quantiques à base de semi-conducteurs de faible bande interdite HgTe et InAs
Autor: Bovkun, Leonid
Le tellurure de mercure et de cadmium (HgCdTe ou MCT) est un matériau reconnu pour la physique de la matière condensée, dont l'histoire, datant aujourd'hui de plus de cinquante ans, constitue un excellent exemple des progrès remarquables réalis
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2018GREAY060/document
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Investigation of the band structure of quantum wells based on gapless and narrow-band semiconductors HgTe and InAs
Autor: Bovkun, Leonid
Publikováno v: Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]. Université Grenoble Alpes; Académie des sciences de Russie, 2018. English. ⟨NNT : 2018GREAY060⟩
Mercury cadmium telluride (HgCdTe or MCT) is a time-honored material for condensed matter physics, whose history  nowadays more than fifty years long  may serve as an excellent example of remarkable progress made in research on semiconductors a
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c2be5c6587b23279e7e3438c216fc9ea
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02057445/document
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Dissertation/ Thesis
Optical characterisation of non polar nanostructures quantum wells ZnO/(Zn,Mg) O
Autor: Mohammed Ali, Mohammed Jassim
L’oxyde de zinc est un matériau prometteur pour la réalisation de composants optoélectroniques dans la gamme des émetteurs UV. Pour cela il faut développer des hétéro-structures tel que des puits quantiques ZnO/(Zn, Mg)O afin de mieux contr
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2018MONTS096/document
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Optimisation d’hétéro-structures à multipuits quantiques InGaN sur sous-couche InGaN pour diodes electroluminescentes émettant dans le domaine spectral bleu-vert
Autor: Alam, Saiful
Publikováno v: Matériaux. Ecole Doctorale Energie-Mécanique-Matériaux, 2018. Français
GaN-based light-emitting diodes (LEDs) have already been commercialized for solid-state lighting, since the InGaN/GaN-based multi-quantum-well (MQW) of LEDs can be designed to produce light in the entire visible spectral range. To obtain white LED, p
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::eef28a819b56b4226e9556999e2e20c7
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-02431758/document
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High Indium Concentration InGaN Multi-Quantum-Well-Based Blue-Green Light-Emitting Diodes Grown on InGaN 'Semi-Bulk' Buffer
Autor: Alam , Saiful
Publikováno v: Materials. Université de Lorraine, 2018. English. ⟨NNT : 2018LORR0050⟩
Materials. Université de Lorraine, 2018. English. 〈NNT : 2018LORR0050〉
Matériaux. Ecole Doctorale Energie-Mécanique-Matériaux, 2018. Français
GaN-based light-emitting diodes (LEDs) have already been commercialized for solid-state lighting, since the InGaN/GaN-based multi-quantum-well (MQW) of LEDs can be designed to produce light in the entire visible spectral range. To obtain white LED, p
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::eef28a819b56b4226e9556999e2e20c7
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01808864/document
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Dissertation/ Thesis
Antenna resonators for quantum infrared detectors and fast heterodyne receivers
Autor: Palaferri, Danièle
Ce travail de thèse porte sur la conception et la réalisation de méta-structures pour l’amelioration des performances de détecteurs dans les gammes spectrales du moyen infrarouge et du térahertz (THz). Ces méta-structures sont des matrices de
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2018USPCC083/document
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10
Dissertation/ Thesis
Composants optoélectroniques à base d'alliages SiGe riches en Ge pour le proche et moyen infrarouge
Autor: Vakarin, Vladyslav
Aujourd’hui les interconnections optiques ont devancé les interconnections électriques à longue, moyenne et courte distance dans le domaine des télécommunications. La photonique silicium a connu un tel développement que même les interconnect
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2017SACLS473/document
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