Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"Puckett, Matthew W."'
Autor:
Puckett, Matthew W., Liu, Kaikai, Chauhan, Nitesh, Zhao, Qiancheng, Jin, Naijun, Cheng, Haotian, Wu, Jianfeng, Behunin, Ryan O., Rakich, Peter T., Nelson, Karl D., Blumenthal, Daniel J.
High Q optical resonators are a key component for ultra-narrow linewidth lasers, frequency stabilization, precision spectroscopy and quantum applications. Integration of these resonators in a photonic waveguide wafer-scale platform is key to reducing
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2009.07428
Autor:
Lin, Hung-Hsi, Sharma, Rajat, Friedman, Alex, Cromey, Benjamin M., Vallini, Felipe, Puckett, Matthew W., Kieu, Khanh, Fainman, Yeshaiahu
We present experimental results on second-harmonic generation in non-stoichiometric, silicon-rich nitride (SRN) films. The as-deposited film presents a second-order nonlinear coefficient, or \c{hi}(2), as high as 8pm/V. This value can be widely tuned
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1808.07587
Autor:
Lin, Hung-Hsi, Vallini, Felipe, Yang, Mu-Han, Sharma, Rajat, Puckett, Matthew W., Montoya, Sergio, Wurm, Christian D., Fullerton, Eric E., Fainman, Yeshaiahu
The ability to engineer metamaterials with tunable nonlinear optical properties is crucial for nonlinear optics. Traditionally, metals have been employed to enhance nonlinear optical interactions through field localization. Here, inspired by the elec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.06690
Autor:
Puckett, Matthew W., Sharma, Rajat, Lin, Hung-Hsi, Yang, Muhan, Vallini, Felipe, Fainman, Yeshaiahu
We present experimental results on the observation of a bulk second-order nonlinear susceptibility derived from both free-space and integrated measurements in silicon nitride. Phase-matching is achieved through dispersion engineering of the waveguide
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1604.08645
Autor:
Sharma, Rajat, Puckett, Matthew W., Lin, Hung-Hsi, Isichenko, Andrei, Vallini, Felipe, Fainman, Yeshaiahu
We fabricate silicon waveguides in silicon-on-insulator (SOI) wafers clad with either silicon dioxide, silicon nitride, or aluminum oxide, and by measuring the electro-optic behavior of ring resonators, we characterize the cladding-dependent and capa
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1508.05440
Autor:
Puckett, Matthew W., Sharma, Rajat, Vallini, Felipe, Shahin, Shiva, Monifi, Faraz, Barrina, Peter N., Mehravar, Soroush, Kieu, Khanh, Fainman, Yeshaiahu
We fabricate and characterize waveguides composed of closely spaced and longitudinally oriented silicon ridges etched into silicon-on-insulator wafers. Through both guided mode and bulk measurements, we demonstrate that the patterning of silicon wave
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.05840
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 106, 241104 (2015)
We theoretically characterize the free-carrier plasma dispersion effect in fully-etched silicon waveguides, with various dielectric material claddings, due to fixed and interface charges at the silicon-dielectric interfaces. The values used for these
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1504.03064
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.