Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Proshchenko, Vitaly S"'
Semiconductor superlattices have been extensively investigated for thermoelectric applications, to explore the effects of compositions, interface structures, and lattice strain environments on the reduction of thermal conductivity, and improvement of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2111.12831
Publikováno v:
Journal of Applied Physics 129, 025301 (2021)
In doped semiconductors and metals, the thermopower decreases with increasing carrier concentration, in agreement with the Pisarenko relation. Here, we demonstrate a new strain engineering approach to increase the thermopower of [001] Si/Ge superlatt
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.03461
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 014207 (2019)
Interstitial defects are inevitably present in doped semiconductors that enable modern-day electronic, optoelectronic or thermoelectric technologies. Understanding of stability of interstitials and their bonding mechanisms in the silicon lattice was
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.00217
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/14/2021, Vol. 129 Issue 2, p1-13, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.